什麼是負電子親和勢光電陰極
1、表面勢壘低於導帶底的光陰極(如GaAs:Cs-O)。表面勢壘高於導帶底的稱爲正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs);表面勢壘平於導帶底的稱爲零電子親和勢光陰極。
2、介紹:表面勢壘低於導帶底的光陰極(如GaAs:Cs-O)。表面勢壘高於導帶底的稱爲正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs);表面勢壘平於導帶底的稱爲零電子親和勢光陰極。
3、1963年美國 R. E.西蒙斯根據半導體能帶理論提出負電子親和勢概念。1965年荷蘭J.J.席爾和J.範拉制成GaAs:Gs光陰極。人們又製出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光陰極,如 InP,GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z(0yz2O,它與P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶體(如摻Zn的GaSb)接觸,形成異質結。此模型給出在表面吸附層內有一界面勢壘(約 1.2電子伏)。根據偶極子模型,Cs-O層是很薄的Cs偶極子與Cs2O偶極子串聯的雙偶極子,其厚度約8埃。這與單原子尺度的實驗是一致的。
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一葉障目的意思是一片葉子擋在眼前會讓人看不到外面的廣闊世界。比喻被局部或暫時的現象所迷惑。故警示我們要看清事物的全貌,還不能盲目輕信、盲目崇拜,必須經過科學的調查和驗證,以謙虛謹慎的態度予以看待。一葉障目造句:1、你們不能一葉障目,僅僅因爲一些小的失...