霍爾傳感器原理介紹
1、半導體薄片置於磁感應強度爲B的磁場中,磁場方向垂直於薄片。當有電流I流過薄片時,在垂直於電流和磁場的方向上將產生電動勢eh,這種現象稱爲霍爾效應,該電動勢稱爲霍爾電勢,上述半導體薄片稱爲霍爾元件。
2、原理簡述如下:激勵電流I從a、b端流入,磁場B由正上方作用於薄片,這時電子e的運動方向與電流方向相反,將受到洛侖茲力FL的作用,向內側偏移,該側形成電子的堆積,從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多,FE也越大,在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。
3、由實驗可知,流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強,霍爾電勢也就越高。磁場方向相反,霍爾電勢的方向也隨之改變,因此霍爾傳感器能用於測量靜態磁場或交變磁場。
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