靜態存儲器和動態存儲器的區別
靜態存儲器和動態存儲器的區別是:
靜態RAM(SRAM)速度非常快,只要電源存在內容就不會自動消失。其基本存儲電路爲6個MOS管組成1位,因此集成度相對較低,功耗也較大。一般高速緩衝存儲器用它組成。動態RAM(DRAM)的內容在10-3或l0-6秒之後自動消失,因此必須週期性的在內容消失之前進行刷新。由於它的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成,因此它的集成度高,成本較低,另外耗電也少,但它需要一個額外的刷新電路。DRAM運行速度較慢,SRAM比DRAM要快2到5倍,一般,PC機的標準存儲器都採用DRAM組成。
靜態存儲器依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息。每個 雙穩態電路存儲一位 二進制代碼0或1,一塊 存儲芯片上包含許多個這樣的雙穩態電路。雙穩態電路是有源器件,需要電源才能工作,只要電源正常,就能長期穩定的保存信息,所以稱爲靜態存儲器。如果斷電,信息將會丟失,屬於揮發性存儲器,或稱易失性。
靜態存儲器在指定功能或應用軟件之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟件佔用了所有存儲器空間,此時將無法爲其他應用軟件分配存儲器空間。 例如,日曆、短信息和電話簿 (或通訊錄) 可能會共享移動設備中的動態存儲器。一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態隨機存取內存(DRAM)與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種,差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定週期對存儲器刷新,才能維繫數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過程,在上電期間,數據不會丟失。
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