國產第三代半導體有了新突破?

國產第三代半導體有了新突破：

碳化硅作爲第三代半導體材料，具有耐高溫、高電壓、高頻率、高功率等優良性能，被廣泛應用於電力、通信、光電、新能源等領域。

8英寸襯底是降低成本的關鍵之舉，有公司已經在8英寸碳化硅襯底有了最新進展。

碳化硅襯底在新能源汽車領域得到應用，未來有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導體。