mosfet是什麼電子元件

mosfet是金屬-氧化物半導體場效應晶體管。mosfet是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分爲“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱爲NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

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mosfet是什麼電子元件

mosfet是金屬-氧化物半導體場效應晶體管。mosfet是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分爲“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱爲NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。 演示機型：Iphone 13&&華爲P50&&小米11 系統版本：iOS 15&&HarmonyOS 2&&MIUI 12.5

mosfet是金屬-氧化物半導體場效應晶體管。mosfet是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分爲“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱爲NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

什麼是MOSFET

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分爲“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱爲NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

擴展資料：

主要參數

場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時關注以下主要參數：

1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。

2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。

3、UT—開啓電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。

4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。

5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小於BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量。

7、IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM 。

對比

Power MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C）、發射極（E）和柵極(G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作爲逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

參考資料：百度百科-MOSFET

GTO、GTR、MOSFET、IGBT分別表示什麼電力電子元件,試給出各元件的主要特點？

GTO(門級可關斷晶閘管)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低 。GTO

電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強

電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低。

GTR（電力晶體管）耐高壓，電流大開關特性好。GTR

耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低

開關速度低，爲電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題。

MOSFET

（電力場效應晶體管）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於GTR但是電流容量小。MOSFET

開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題

電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)它綜合了GTR和mosfet的優點，IGBT

開關速度高，開關損耗小，具有耐脈衝電流衝擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，爲電壓驅動，驅動功率小

開關速度低於電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO。

MOSFET代表什麼電子元件

金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分爲n-type與p-type的MOSFET，通常又稱爲NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

參考資料：http://ke.baidu.com/view/509184.htm

MOSFET是幹啥用的，是相當於繼電器嗎

MOSFET多爲功率場效應管。是晶體管的一種。能以極低的（幾乎爲零）的電能控制大功率負荷的通斷，接合光電耦合器和適當的MOSFET組合可達到隔離、雙向導通的控制效果，等效於繼電器，在開關速度以及耐壓、抗震方面高於電磁繼電器指標。同等負載功率下，成本也遠低於繼電器。缺點是比電磁繼電器容易隨壞，需要更多的保護電路來配合使用才能提高穩定性。另外，電磁繼電器可輕而易舉達到多組觸點隔離聯動、常開常閉功能，一隻（或一對）MOSFET只能實現一個觸點，要想實現多組以及三點開關（常開常閉）這些功能，工程可就大了。

mos管在proteus中的名稱

MOSFET。MOSFET是一種常見的電子元件，常用於模擬電路和數字電路中，在Proteus中，可以在元件庫中找到MOSFET，並使用其相應的模型進行電路設計和模擬。

三極管和mosfet有什麼區別

mosfet全稱爲金屬-氧化物-半導體fet,而fet是場效應管(field effect transistor)的意思,即mosfet爲金屬-氧化物-半導體場效應管.

而晶體三極管包括雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET),所以mosfet是屬於晶體管的,而且僅僅是很小的一個分類,但是非常常用,我們就是學這個的,還有什麼疑問可以給我留言

場效應管是什麼樣的元件，在電路中有哪些功能？

場效應管是根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓控制型器件

場效應晶體管簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱爲單極型晶體管.它屬於電壓控制型半導體器件.

特點:

具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成爲雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

場效應管的作用

1、場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3、場效應管可以用作可變電阻。

4、場效應管可以方便地用作恆流源。

5、場效應管可以用作電子開關。

功率場效應晶體管的詳解

利用半導體的場效應制作的功率晶體管。半導體的場效應指通過垂直於半導體表面的外加電場，可以控制或改變靠近表面附近薄層內半導體的導電特性。功率場效應晶體管元件符號如圖1所示。圖1中G、D、S分別代表其柵極、漏極和源極。功率MOSFET(金屬－氧化物-半導體場效應晶體管)是最重要的一種功率場效應晶體管,除此之外還有MISFET、MESFET、JFET等幾種。功率MOSFET爲功率集成器件，內含數百乃至上萬個相互並聯的MOSFET單元。爲提高其集成度和耐壓性,大都採用垂直結構(即VMOS)，如VVMOS（V型槽結構）、VUMOS、SIPMOS等。圖2顯示了一種SIPMOS（n溝道增強型功率MOSFET）的部分剖面結構。其柵極用導電的多晶硅製成,柵極與半導體之間有一層二氧化硅薄膜,柵極與源極位於硅片的同一面，漏極則在背面。從總體上看，漏極電流垂直地流過硅片，漏極和源極間電壓也加在硅片的兩個面之間。 該器件屬於耗盡型n溝道的功率MOSFET，其源極和漏極之間有一n型導電溝道,改變柵極對源極的電壓，可以控制通過溝道的電流大小。耗盡型器件在其柵極電壓爲零時也存在溝道，而增強型器件一定要施加柵極電壓纔有溝道出現。與n溝道器件對應,還有p溝道的功率MOSFET。圖3爲圖2所示SIPMOS的輸出特性。它表明了柵極的控制作用及不同柵極電壓下，漏極電流與漏極電壓之間的關係。圖3中，在非飽和區(Ⅰ),源極和漏極間相當於一個小電阻；在亞閾值區(Ⅲ)則表現爲開路；在飽和區(Ⅱ)，器件具有放大作用。

功率MOSFET屬於電壓型控制器件。它依靠多數載流子工作,因而具有許多優點:能與集成電路直接相連；開關頻率可在數兆赫以上（可達100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導通電阻具有正溫度係數,器件不易發生二次擊穿,易於並聯工作。與GTR相比，功率MOSFET的導通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時,其功率損耗高於GTR。此外，由於導電溝道很窄（微米級）,單元尺寸精細，其製作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。

功率MOSFET是70年代末開始應用的新型電力電子器件，適合於數千瓦以下的電力電子裝置，能顯著縮小裝置的體積並提高其性能，預期將逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的發展趨勢是提高容量，普及應用，與其他器件結合構成複合管，將多個元件製成組件和模塊，進而與控制線路集成在一個模塊中（這將會更新電力電子線路的概念）。此外，隨着頻率的進一步提高，將出現能工作在微波領域的大容量功率MOSFET。

MOSFET能實現什麼作用？具有哪些功能？請教高手~~

MOSFET是指金屬氧化物場效應管，具體的可分爲P溝道和N溝道，一般用得多的是N溝道的。

MOS管是電壓控制型的元件，可以用一個驅動電壓來控制其漏極和源極的通斷從而實現開關功能。不過使用時應注意其引腳的連接，因爲不是普通意義上的開關。另外按功率大小分可以分爲大中小功率的MOS管，其中大功率MOS管通常用作開關電源的開關管。